Disco SSD M.2 2TB Samsung 860 Evo

Rendimiento mejorado Disfruta de una velocidad constante incluso con grandes cargas de trabajo y multitarea. La unidad SSD 860 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de escritura de hasta 520 MB/s gracias a la tecnología Intelligent TurboWrite . y una velocidad de escritura secuencial de hasta 550 MB/s. El tamaño del buffer TurboWrite se ha mejorado de 12 GB a 78 GB. ofreciéndote una transferencia de archivos más rápida. Fiabilidad Almacena de forma segura y renderiza sin problemas vídeos y datos 3D utilizados por lasultimas aplicaciones. hasta 8 veces más TBW (Terabytes escritos)* que el modelo anterior 850 EVO. Laultima tecnología V-NAND ofrece una fiabilidad líder del mercado con 5 años de garantía o 2.400 TBW. *Terabytes escritos *TBW garantizados para el modelo 860 EVO: 300 TBW para el modelo de 256 GB. 600 TBW para el modelo de 1 TB. 1.200 TBW para el modelo de 2 TB y 2.400 TBW para el modelo de 4 TB. *5 años o terabytes escritos. lo que llegue antes. Para más información sobre la garantía. consulta el documento de garantía que encontrarás en el interior del paquete. Compatibilidad inteligente Benefíciate de una comunicación más rápida y fluida con tu equipo. El nuevo algoritmo ECC* y su controlador MJX generan velocidades más altas. mientras que su cola de órdenes TRIM mejoradas favorece su compatibilidad con Linux. Nuestra avanzada ingeniería hará nuestro SSD 860 EVO más compatible con tu sistema operativo. *Código de corrección de error Distintos tamaños Sea cual sea el tamaño de tu equipo. siempre habrá un SSD 860 EVO para ti. Elige entre el modelo de 2.5†para tu PC o portátil. o el modelo SATA M.2 (2280) y mSATA para equipos ultradelgados. Así de sencillo. Características generales - Aplicación Client PCs - Capacidad 2.000 GB - Formato M.2 2280 - Interfaz SATA 6 Gb/s . compatible con SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s - Dimensiones Máx 80.15 x Máx 22.15 x Max.2.38 (mm) - Peso Máx. 8g - Tipo NAND Samsung V-NAND 3bit MLC - Controller Samsung MJX Controller - Memoria caché Samsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Características especiales - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - Auto Garbage Collection Algorithm - Encriptación AES 256-bit - Soporte Modo Suspensión en dispositivo - Lectura secuencial Hasta 550 MB/s - Escritura secuencial Hasta 520 MB/s - Lectura aleatoria (4KB. QD32) Hasta 97.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB. QD32) Hasta 88.000 IOPS - Lectura aleatoria (4KB. QD1) Hasta 10.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB. QD1) Hasta 42.000 IOPS - Consumo de Energía Máximo: 4.5 W - Durabilidad (MTBF) 1.5 Millones de horas - Temperatura 0 - 70 ℃ - Golpes 1.500 G & 0.5 ms - Software de gestión Magician - Garantía 5 años garantía o 1200 TBW